多晶矽生產設備清（qīng）洗的意義

多晶矽按不同的用途可分為太陽能級（jí）多晶矽和電子級多（duō）晶矽兩類。太陽能（néng）級多晶矽的純度一般在5～7N，主（zhǔ）要雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質總含量≤0.2(太陽能三級品要求)。電（diàn）子級多晶（jīng）矽一般含Si＞99.9999%以上，超高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導電性為10- 4～1010Ω·cm，碳（tàn）濃（nóng）度＜2×1016at·cm- 3。

油脂、水分、氯離子殘留、金屬氧化物、氯（lǜ）化物、灰塵及其他雜質，對多晶矽的純度影響極大。在多晶矽設備製造、安裝和多晶矽生產（chǎn）過程中（zhōng）清洗（xǐ）是十分重要的部分，要按多晶矽生產工藝，對不同潔淨度要求、不同材質的設備采用不同的清洗方法。'
 
多晶矽（guī）設備的清洗（xǐ）的不同階段：

1、設備製造階段（duàn）的清洗

金（jīn）屬設備及管道、零件需要（yào）在除漆前將表麵的氧化皮和鐵鏽（xiù）除掉，設備內部的油脂、軋製鱗片、鏽皮等也需要進行（háng）清洗（xǐ）。

2、多晶矽設備安裝階段的清潔

由於工藝管道輸送的介質特性及產品純（chún）度要（yào）求，對（duì）管道的焊接質量及內（nèi）部清潔、吹掃試（shì）壓均有較高要（yào）求，對設備（bèi）進場驗收、檢驗及（jí）安裝（zhuāng）、內部處理也有較高要求，因此設備製造結（jié）束後的（de）清洗處理至關重要。在裝置進（jìn）行試（shì）生（shēng）產前期，係統注入四氯化矽進行循環清洗約2～3個月，時間的長短取決於（yú）設備前期清洗情況。

3、多晶矽設備生產期間的清洗

還原爐和氫化爐是改良（liáng）西門（mén）子（zǐ）法生產多（duō）晶矽的核心設備（bèi），其運行好壞直接影響多晶矽質量及生產成本。多晶矽生產對還原爐的沉積環境的潔淨度（dù）要求特別（bié）關鍵，任何顆粒性雜質（zhì）、油脂等物（wù）質餘留在爐內，都會對產品質量造成影響。北京德高潔清潔設（shè）備有限公司經過研發設計並製造出了多晶矽（guī）自動化還原爐鍾罩清洗（xǐ）係統，可以完全將多晶矽（guī）還原爐鍾（zhōng）罩清（qīng）洗（xǐ）幹淨，滿足生產需求。

德（dé）高潔電子（zǐ）級多晶矽還原爐鍾罩清洗係統包括低壓熱（rè）水清洗動力裝置、三維洗罐器、旋（xuán）轉和升降執行機構、清洗工作台、萬（wàn）級淨化幹燥係統、循環過濾係統、控製裝置、微負壓係統、清（qīng）洗工作台、電氣控製係統等，係統實現了鍾罩的（de）全自動清洗和烘幹操作。
 
電子級多晶矽還（hái）原爐鍾罩自（zì）動清（qīng）洗係統特點：以水力自驅動三維洗罐器為噴頭，形成（chéng）360° 3D形式的網狀噴射來完成爐筒內部表麵的水力掃射（shè）。配以旋轉和升降的清洗吹幹執行機（jī）構，準確定位。操作簡單方便，係統控（kòng）製，清洗、吹幹自行調整。不僅可以滿足對內（nèi）壁和視（shì）孔鏡的（de）清洗，同時也滿足了（le）底部法蘭的清洗。

在整個還原爐的（de）清洗過程中，清洗、幹燥中筒內形成微負（fù）壓狀態，防止清洗外溢，同時將底座與筒體下法蘭處的汙（wū）染物等一並吹掃，通過排汙管排出，從而保證了整個過程不會（huì）對潔淨區造成汙染。

生產多晶矽的工藝複雜，設備清洗是可（kě）以降低能耗保（bǎo）證多晶矽產品質（zhì）量（liàng）的。多（duō）晶矽生產企業對（duì）設備須從選型、選材、清（qīng）洗等方麵進行（háng）合理、科學的管理，應用現代技（jì）術，進（jìn）行全程清（qīng）洗，以（yǐ）充分發揮設（shè）備（bèi）功效，為安全、高效生產創造條件。