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首頁 > 技術文（wén）章

多（duō）晶（jīng）矽生產設（shè）備清洗的意義

時（shí）間（jiān）：2018-05-28     來源： 北京德高潔清潔設備有限公司

多晶矽按不同的用途（tú）可分（fèn）為太陽能級多晶矽和電子級多晶矽兩類。太陽能級多（duō）晶矽的純度一般在5～7N，主要雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金（jīn）屬雜質總含量≤0.2(太陽（yáng）能三級品要求)。電子級多晶矽一般含Si＞99.9999%以上，超高（gāo）純達到99.9999999%～99.999999999%，即（jí）9～11N，其（qí）導電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。
 
油脂、水分、氯離子殘留、金屬氧化物、氯化物、灰塵（chén）及其他（tā）雜質，對多晶矽的純（chún）度影響極大。在多晶矽設備製（zhì）造、安裝和（hé）多晶（jīng）矽生產過程中清洗是十分重要的部分，要按多晶矽生產工藝，對不（bú）同潔淨度要求、不同材質的設備采用不（bú）同的清洗方法。'
 
多晶矽（guī）
 
多晶矽設備的清洗的不同階段：
 
1、設備製造階段的清洗
 
金屬設備及管道、零件需要在除漆前將表麵的氧化皮和鐵鏽除掉，設備（bèi）內部的油脂、軋製鱗片、鏽（xiù）皮等也需要（yào）進行清洗。
 
2、多晶矽（guī）設備安裝階段的清潔
 
由於工（gōng）藝管道輸送的介質特性及（jí）產品純度要求（qiú），對管道的焊接質量及內部清潔、吹掃試壓均有較高要求，對設備進場驗收、檢驗及安裝、內部（bù）處理也有較高（gāo）要（yào）求，因此設（shè）備製造結束後的清洗處理（lǐ）至關重要。在（zài）裝置進行試生產前（qián）期，係統注入四氯化矽進（jìn）行循環清洗約2～3個月，時間的長短取決於設備前（qián）期清洗情況。
 
3、多晶矽設備生產期間的清洗
 
還原爐和氫化爐是改（gǎi）良西門子法生產多（duō）晶矽（guī）的核心設備，其運行好（hǎo）壞直接影響（xiǎng）多晶矽質量及（jí）生產成本。多晶矽生產對還原爐的沉積環境的潔淨（jìng）度要求特別關鍵，任何顆粒性（xìng）雜質、油脂等物質（zhì）餘留在爐內，都會對產品（pǐn）質量造成影響。北京德高潔清（qīng）潔設備有限公司經過研發設計並製造出了多晶矽自動化還原爐鍾罩清洗係統，可以完全將多晶矽還原爐鍾罩清洗幹淨，滿足生產（chǎn）需求。
 
德高潔電子（zǐ）級多晶矽還原爐鍾罩（zhào）清洗係統包括低壓熱水清洗動力（lì）裝置（zhì）、三維洗罐器、旋轉和升降執行機構、清洗工作台、萬級淨（jìng）化幹燥係（xì）統、循環過濾係統、控製裝置、微負壓係統、清洗工作台、電氣控製係統等，係統實現了鍾罩的（de）全自動清洗和烘幹操作。
 
德（dé）高潔多晶矽還原爐鍾罩清洗係統
 
電子級多晶矽還原爐鍾罩自動清洗係統特點（diǎn）：以水力（lì）自（zì）驅動三維洗罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網狀噴射來完（wán）成爐筒內部表麵的水力掃射。配以旋轉和升降的清洗吹幹執行機構，準確定位。操作（zuò）簡單方便，係統控製，清洗、吹幹自行調整。不僅可以滿足對（duì）內壁和視孔鏡的（de）清洗，同時也（yě）滿足了底部法蘭（lán）的清洗。
 
在整個還原爐的清洗過程中，清洗、幹燥中筒內形成微負壓狀態，防止清洗外溢，同時將底座與筒體下法蘭處的汙染（rǎn）物等一並吹掃，通過排汙管排出，從而（ér）保證了整個過程不會對潔淨區造成汙染（rǎn）。
 
生產多（duō）晶矽的工藝複雜，設備清洗是可以降低能耗保證多晶矽產品質量的。多晶矽（guī）生產企業對設備須從選型、選材、清洗等方麵進行合理、科學的管理，應用（yòng）現代技術，進行全（quán）程清（qīng）洗，以充分發（fā）揮（huī）設備功（gōng）效，為安全（quán）、高效（xiào）生產創造條件。
  • 標簽：
  • 多晶矽
  • 還原爐
  • 氫化爐
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